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Hunan Jingtan Automation Equipment Co., LTD.
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Modo de bloqueo de puertas Horno de deposición al vacío para dispositivos de grafito y semiconductores

Detalles del producto

Lugar de origen: China

Nombre de la marca: Jingtan

Certificación: CE

Número de modelo: Se aplicará el procedimiento siguiente:

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1 juego

Precio: USD10,000-80,000/SET

Detalles de empaquetado: caja de madera

Tiempo de entrega: 60 días

Condiciones de pago: Las condiciones de los productos

Capacidad de la fuente: 10 piezas al mes

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Especificaciones
Resaltar:

Fuego de deposición de vacío con bloqueo de puertas

,

Horno de deposición al vacío para grafito

El color:
Personalizado
Garantización:
1 año
Temperatura común:
900~1200°C
Grado de vacío:
El contenido de nitrógeno en el combustible
Medio atmosférico:
en el vacío /CH4/C3H6/H2/N2/Ar
El color:
Personalizado
Garantización:
1 año
Temperatura común:
900~1200°C
Grado de vacío:
El contenido de nitrógeno en el combustible
Medio atmosférico:
en el vacío /CH4/C3H6/H2/N2/Ar
Descripción
Modo de bloqueo de puertas Horno de deposición al vacío para dispositivos de grafito y semiconductores

 

El horno de deposición al vacío se utiliza para la preparación de materiales compuestos carbono-carbono,y el horno de deposición se utiliza principalmente para la preparación de recubrimiento pirolítico de carbono en la superficie del grafito, dispositivos semiconductores y materiales de limpieza resistentes al calor.

 

Aplicación:

 

Grafito, dispositivos semiconductores, materiales de limpieza resistentes al calor.

1Parámetros básicos:

1) Temperatura de diseño: 1250°C/1650°C/1800°C/2200°C

2) Temperatura común: 900~1200°C

3) Grado de vacío: < 50 Pa

4) Tasa de aumento de la presión: 6,67 pA/h (o 150 Pa/24h) en el estado frío del horno vacío

5) Modo de calefacción: calefacción por resistencia al grafito o calefacción por inducción, control de temperatura independiente, buena uniformidad de temperatura

6) Medio atmosférico: vacío /CH4/C3H6/H2/N2/Ar

7) Modo de control del gas: control del caudalímetro de masa, trayectoria de gas multicanal, campo de flujo uniforme, sin ángulo muerto de deposición, buen efecto de deposición;

Sistema de tratamiento de gases de escape de varias etapas y eficiente, respetuoso con el medio ambiente, fácil de limpiar;

8) Tipo de horno: estructura cuadrada, redonda, vertical u horizontal (diseño no estándar), cámara de deposición completamente cerrada, buen efecto de sellado, fuerte capacidad antipolución;

9) Modo de refrigeración del horno: refrigeración del agua de la cáscara del horno, se puede seleccionar un sistema de refrigeración rápida de circulación externa, tiempo de refrigeración corto, alta eficiencia de producción;

2. Estructura del horno de deposición al vacío:

Forma de la estructura: descarga horizontal - lateral, vertical - hacia arriba/hacia abajo

Modo de bloqueo de la puerta del horno: manual/automático

Material de la cáscara del horno: acero inoxidable interior/todo acero inoxidable

Material aislante: fieltro de carbono/fieltro de grafito/fieltro curado de fibra de carbono

Material del calentador y de las muffles: grafito/CFC

Instrumento infrarrojo: colorímetro único/colorímetro doble

Fuente de alimentación: KGPS/IGBT ((sólo adecuado para calefacción de media frecuencia)

Modo de bloqueo de puertas Horno de deposición al vacío para dispositivos de grafito y semiconductores 0

Especificación del producto:

 

Parámetro / Número de modelo Se aplicará el procedimiento siguiente: Se aplicará el procedimiento siguiente: Se aplicará el procedimiento siguiente: Se aplicará el procedimiento siguiente: Se aplicará el procedimiento siguiente: Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Se trata de un sistema de control de las emisiones. Se aplicará el procedimiento siguiente:

Tamaño de la zona de trabajo

Frm × H (mm)

300 × 500 500 × 500 600 × 800 600×1200 800×1200 1100 × 2000 1200×1800 1500 × 2000

Temperatura más alta

(°C)

2300 2300 2300 2300 2300 2300 2300 2300
Uniformidad de la temperatura ((°C) ± 5 ± 5 Se aplican las siguientes medidas:5 ± 7,5/± 10 ± 7,5/± 10 Se aplicarán las siguientes medidas: Se aplicarán las siguientes medidas: Se aplicarán las siguientes medidas:
Grado de vacío límite ((Pa) 1 a 100 1 a 100 1 a 100 1 a 100 1 a 100 1 a 100 1 a 100 1 a 100

Tasa de aumento de la presión

(Pa/h)

0.67 0.67 0.67 0.67 0.67 0.67 0.67 0.67
Método de calentamiento

 

Resistencia/inducción

Resistencia/inducción Resistencia/inducción Resistencia/inducción Resistencia/inducción Resistencia/inducción Resistencia/inducción Resistencia/inducción
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