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Hunan Jingtan Automation Equipment Co., LTD.
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Equipo de deposición de hornos CVD para la preparación de material semiconductor de película delgada

Detalles del producto

Nombre de la marca: Jingtan

Certificación: CE

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1 juego

Precio: USD12,000-100,000/SET

Detalles de empaquetado: Embalaje de cajas de madera

Tiempo de entrega: 60 días

Condiciones de pago: Las condiciones de los productos

Capacidad de la fuente: 30 pieza/s por trimestre

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Especificaciones
Resaltar:

Equipo de deposición para material semiconductor

,

Horno CVD para material semiconductor

Lugar de origen:
Hunan, China
El tipo:
horno de inducción
Utilización:
horno de deposición
Inspección de salida por vídeo:
Proveedor
Informe de ensayo de la máquina:
Proveedor
Componentes básicos:
PLC
brand name:
Jingtan
Válvula de tensión:
380
Peso (T):
2 T
Potencia en kW:
220
Puntos de venta clave:
Precio competitivo
Temperatura de diseño (°C):
1250 a 2200
Temperatura preocupante:
900-1200 °C
Velocidad de aumento de la presión (Pa/h):
0.67Pa/h ((150Pa/24h)
Método de calentamiento:
resistencia/inducción
Atmósfera de trabajo:
el vacío/CH4/C3H6/H2/N2/Ar
Tipo de horno:
Cuadrado/redondoVertical/horizontal
Modo de enfriamiento del horno:
refrigeración por agua de la cáscara del horno
Instrumento de infrarrojos:
Colorimetría simple/doble
Uniformidad de la temperatura:
± 5
El límite de vacío Grado ((Pa):
1-100
Tipo de comercialización:
Producto ordinario
Garantía de los componentes centrales:
1 año
Industrias aplicables:
Los demás, semiconductores
Lugar de origen:
Hunan, China
El tipo:
horno de inducción
Utilización:
horno de deposición
Inspección de salida por vídeo:
Proveedor
Informe de ensayo de la máquina:
Proveedor
Componentes básicos:
PLC
brand name:
Jingtan
Válvula de tensión:
380
Peso (T):
2 T
Potencia en kW:
220
Puntos de venta clave:
Precio competitivo
Temperatura de diseño (°C):
1250 a 2200
Temperatura preocupante:
900-1200 °C
Velocidad de aumento de la presión (Pa/h):
0.67Pa/h ((150Pa/24h)
Método de calentamiento:
resistencia/inducción
Atmósfera de trabajo:
el vacío/CH4/C3H6/H2/N2/Ar
Tipo de horno:
Cuadrado/redondoVertical/horizontal
Modo de enfriamiento del horno:
refrigeración por agua de la cáscara del horno
Instrumento de infrarrojos:
Colorimetría simple/doble
Uniformidad de la temperatura:
± 5
El límite de vacío Grado ((Pa):
1-100
Tipo de comercialización:
Producto ordinario
Garantía de los componentes centrales:
1 año
Industrias aplicables:
Los demás, semiconductores
Descripción
Equipo de deposición de hornos CVD para la preparación de material semiconductor de película delgada
Especificación:
Horno de deposición al vacío:
Se utiliza principalmente para la preparación de materiales compuestos carbono-carbono y el horno de deposición se utiliza principalmente para la preparación de recubrimiento pirolítico de carbono en la superficie del grafito,Dispositivos semiconductores y materiales de limpieza resistentes al calor.
Parámetro / Número de modelo
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Se trata de un sistema de control de las emisiones.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Tamaño de la zona de trabajo
Frm × H (mm)
300 × 500
500 × 500
600 × 800
600×1200
800×1200
1100 × 2000
1200×1800
1500 × 2000
Temperatura más alta
(°C)
2300
2300
2300
2300
2300
2300
2300
2300
Uniformidad de la temperatura ((°C)
± 5
± 5
Se aplican las siguientes medidas:5
± 7,5/± 10
± 7,5/± 10
Se aplicarán las siguientes medidas:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Grado de vacío límite ((Pa)
1 a 100
1 a 100
1 a 100
1 a 100
1 a 100
1 a 100
1 a 100
1 a 100
Grado de vacío límite ((Pa)
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
Método de calentamiento
Resistencia/inducción
Resistencia/inducción
Resistencia/inducción
Resistencia/inducción
Resistencia/inducción
Resistencia/inducción
Resistencia/inducción
Resistencia/inducción
Equipo de deposición de hornos CVD para la preparación de material semiconductor de película delgada 0
Temperatura de diseño
Las condiciones de ensayo de las sustancias químicas incluidas en el anexo I se determinarán en función de las condiciones de ensayo.
Temperatura común
900~1200°C
Grado de vacío
El contenido de nitrógeno en el combustible
Tasa de aumento de la presión
6.67pA /h ((o 150Pa/24h) en estado frío de horno vacío
Modo de calentamiento
Calentamiento por resistencia al grafito o calentamiento por inducción, control de temperatura independiente, buena uniformidad de temperatura
Medio atmosférico
en el vacío /CH4/C3H6/H2/N2/Ar
Equipo de deposición de hornos CVD para la preparación de material semiconductor de película delgada 1
Modo de control del gas
control del caudal de masa, vía de gas multicanal, campo de flujo uniforme, sin ángulo muerto de deposición, buen efecto de deposición;sistema de tratamiento de gases de escape de múltiples etapas y eficiente, respetuoso con el medio ambiente,fácil de limpiar
Tipo de horno
estructura cuadrada, redonda, vertical u horizontal (diseño no estándar), cámara de deposición totalmente cerrada, buen efecto de sellado,
una gran capacidad de lucha contra la contaminación;
Modo de enfriamiento del horno
sistema de enfriamiento rápido de circulación externa, tiempo de enfriamiento corto, alta producción
la eficiencia;
Equipo de deposición de hornos CVD para la preparación de material semiconductor de película delgada 2
Forma de la estructura
Descarga horizontal - lateral, vertical - hacia arriba y hacia abajo
Modo de bloqueo
Manual o automático
Material de las cáscaras
Acero inoxidable interior/todo el acero inoxidable
Material aislante
Fieltro de carbono/fieltro de grafito/fieltro curado de fibra de carbono
Instrumento de infrarrojos
colorimetría única/colorimetría doble
Fuente de alimentación
KGPS/IGBT ((sólo adecuado para calefacción de media frecuencia)
Parámetro del producto:
 
 
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