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Hunan Jingtan Automation Equipment Co., LTD.
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Horno de grafitización con capacidad de carga de 375L 500x500x1500 Tamaño de la cámara y ±5°C Uniformidad de temperatura para la purificación de semiconductores

Detalles del producto

Lugar de origen: Hunan, China

Nombre de la marca: Jingtan

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1

Precio: $56,000

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Especificaciones
Resaltar:

Fuego de grafitización de capacidad de carga de 375L

,

500x500x1500 Tamaño de la cámara Horno de purificación

,

Máquina de sinterización al vacío con uniformidad de temperatura ± 5°C

Tipo:
Horno de inducción
Voltaje:
380
Peso:
5 T
Temperatura límite:
2400℃
Método de calentamiento:
Calentamiento de varillas de grafito de resistencia
Modelo de control:
Manual o automático
Atmósfera de trabajo:
Protección contra el vacío o los gases inertes
Capacidad de carga:
375L
Tamaño de la cámara:
500*500*1500
Uniformidad de temperatura:
± 5°C
Estructura del horno:
horizontal
Material del cuerpo del horno:
SS 304
ZONA DE ALTA TEMPERATURA:
500*500*1500
Diferencia de temperatura:
± 5°C
Componentes centrales:
PLC, recipiente de presión, bomba, cilindro
Tipo:
Horno de inducción
Voltaje:
380
Peso:
5 T
Temperatura límite:
2400℃
Método de calentamiento:
Calentamiento de varillas de grafito de resistencia
Modelo de control:
Manual o automático
Atmósfera de trabajo:
Protección contra el vacío o los gases inertes
Capacidad de carga:
375L
Tamaño de la cámara:
500*500*1500
Uniformidad de temperatura:
± 5°C
Estructura del horno:
horizontal
Material del cuerpo del horno:
SS 304
ZONA DE ALTA TEMPERATURA:
500*500*1500
Diferencia de temperatura:
± 5°C
Componentes centrales:
PLC, recipiente de presión, bomba, cilindro
Descripción
Horno de grafitización con capacidad de carga de 375L 500x500x1500 Tamaño de la cámara y ±5°C Uniformidad de temperatura para la purificación de semiconductores
Purificación de semiconductores con combinación de métodos químicos y de alta temperatura Máquina de calentamiento por sinterización al vacío
Horno de grafitización con capacidad de carga de 375L 500x500x1500 Tamaño de la cámara y ±5°C Uniformidad de temperatura para la purificación de semiconductores 0 Horno de grafitización con capacidad de carga de 375L 500x500x1500 Tamaño de la cámara y ±5°C Uniformidad de temperatura para la purificación de semiconductores 1
Fuego de purificación de nanotubos de carbono

El tratamiento de purificación combinado del método de alta temperatura y el método químico, adecuado para vehículos de nueva energía, semiconductores, nuevos materiales y muchos otros campos.

Horno de grafitización con capacidad de carga de 375L 500x500x1500 Tamaño de la cámara y ±5°C Uniformidad de temperatura para la purificación de semiconductores 2 Horno de grafitización con capacidad de carga de 375L 500x500x1500 Tamaño de la cámara y ±5°C Uniformidad de temperatura para la purificación de semiconductores 3

Tratamiento térmico de materiales de ánodo de baterías, metalurgia en polvo, nanomateriales, grafeno, nuevos materiales y materiales en polvo en atmósfera al vacío,Sinterización y purificación a altas temperaturas en una atmósfera inerte.

Modelo TCL-45, también conocido como TCL-45. El TCL-128 El TCL-375 El TCL-720 TCL-1568: las condiciones de las mismas TCL-2560: las condiciones de las mismas TCL-5000 TCL-7200, incluida la El TCL-11700
Zona de altas temperaturas (mm) 300*300*500 400*400*800 500*500*1500 600*600*2000 700*700*3200 800*800*4000 1000*1000*5000 1200*1200*5000 1500*1500*5200
Capacidad de carga 45 128 375 720 1568 2560 5000 7200 11700
Diferencia de temperatura ± 5 ± 10 ± 15
Temperatura límite 2400
Modo de calentamiento Resistencia al calentamiento de la varilla de grafito
Modelo de control operación manual o automática
La atmósfera de trabajo en el horno Protección del vacío o del gas inerte (micro presión positiva)
Horno de grafitización con capacidad de carga de 375L 500x500x1500 Tamaño de la cámara y ±5°C Uniformidad de temperatura para la purificación de semiconductores 4 Horno de grafitización con capacidad de carga de 375L 500x500x1500 Tamaño de la cámara y ±5°C Uniformidad de temperatura para la purificación de semiconductores 5
  • Se puede utilizar para la purificación por grafitización a alta temperatura de materiales de nanotubos de carbono, y puede realizar el tratamiento de purificación del método de alta temperatura combinado con el método químico.
  • Puede realizar alimentación y descarga continuas a alta temperatura, reduciendo el consumo de energía y acortando el ciclo de producción.
  • Utilice resistencia o calefacción por inducción, la temperatura puede alcanzar los 2400°C.
  • La combinación del método de alta temperatura y el método químico puede satisfacer los requisitos del tratamiento de alta pureza.
  • El sistema de filtración eficiente puede capturar eficazmente el polvo y los gases corrosivos producidos en el proceso de purificación.
  • Puede realizar alimentación y descarga continuas a alta temperatura, reduciendo el consumo de energía y acortando el ciclo de producción.
Preguntas frecuentes
¿Es usted una fábrica o una empresa comercial?
Sí, somos el fabricante líder de hornos de vacío de alta temperatura de China con más de 14 años de experiencia, otorgado con muchas certificaciones de patentes en el mercado nacional.
¿Tiene un servicio de personalización o OEM?
Sí, tenemos un poderoso equipo de I + D y equipos de alta tecnología. Podemos suministrar modelos normales y hornos personalizables según los requisitos del cliente.
¿Cuáles son tus ventajas?
  • Respuesta rápida a su consulta
  • Control de calidad
  • Una cadena de suministro estable en el mercado interno
  • Entrega oportuna
  • Excelente servicio postventa, incluido el envío de ingenieros para la instalación y depuración
Información de contacto
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